东芝场效应管

品牌：TOSHIBA/东芝

型号：2SK

种类：绝缘栅(MOSFET)

沟道类型：N沟道

导电方式：增强型

用途：MOS-HBM/半桥组件

封装外形：P-DIT/塑料双列直插

材料：P-FET硅P沟道

开启电压：500（V）

夹断电压：350（V）

低频跨导：1（μS）

极间电容： 1（pF）

低频噪声系数：1（dB）

最大漏极电流：1（mA）

最大耗散功率： 25（mW）