IGBT 特点
☆采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术
☆参数离散性小,便于批量使用
☆可靠性高,高温性能稳定,特性优异,具有最优的性能比
☆型号中电流按Tc=100℃时标称,有效使用电流大
☆600V IGBT单管最大工作结温可达Tjmax≤175℃,其他品牌都是150°C
☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管,且容量与IGBT容量一致,工业级.
☆正温被系数饱和压降易于并联使用
二．英飞凌IGBT模块(电流均为80度高温条件下测试标定)
1、两单元 IGBT 600V系列(30KHZ高频)
BSM50GB60DLC 50A/600V/2U Vcesat=2.1V
BSM75GB60DLC 75A/600V/2U
BSM100GB60DLC 100A/600V/2U
BSM150GB60DLC 150A/600V/2U
BSM200GB60DLC 200A/600V/2U
BSM300GB60DLC 300A/600V/2U
FF200R06KE3
FF300R06KE3
FF400R06KE3 400A/600V/2U
两单元 IGBT 1200V系列
BSM50GB120DN2/DLC
BSM75GB120DN2/DLC
BSM100GB120DN2K/DLCK
BSM100GB120DN2/DLC
BSM150GB120DN2
BSM200GB120DN2
FF100R12KS4
FF150R12KS4
FF200R12KS4
FF300R12KS4
FF150R12KE3G
FF200R12KE3
FF300R12KE3
FF400R12KE3
两单元 IGBT 1700V系列
BSM75GB170DN2
BSM100GB170DLC
BSM150GB170DLC
FF200R17KE3
FF300R17KE3
2、功率集成模块 PIM (三相桥+七单元+温度传感器)
FP10R12YT3
FP15R12YT3
BSM10GP120
FP15R12KE3G
FP25R12KE3/ K T 3
FP40R12KE3/ K T 3
FP40R12KE3G/KT3G
FP50R12KE3/ K T 3
FP75R12KE3/ K T 3
3、四单元 IGBT 600V/1200系列(H桥40KHZ高频)
F4―50R12KS4 50A/1200V/4U+温度检测电阻NTC
F4—75R12KS4
F4—100R12 KS4
F4—150R12 KS4
F4—100R06KL4
F4—150R06KL4
F4—200R06KL4 200A/600V/4U+温度检测电阻NTC
4、一单元 IGBT 1200V/1700V系列
BSM200GA120DN2
BSM300GA120DN2
BSM400GA120DN2
FZ400R12KS4/KE3
FZ600R12KS4/KE3
FZ800R12KE3
BSM300GA170DLS
BSM400GA170DLS
FZ400R17KE3
FZ600R17KE3
5、六单元 IGBT
(低饱和压降、高速型)
FS50R12KT3
FS75R12KT3
FS75R12KT3G
FS100R12KT3
FS150R12KT3
三．英飞凌IGBT整流用快恢复二极管:
电流电压
型号 (90℃测试) VF 封装形式
IDP45E60 47A/600V 1.5V TO-220
IDW75E60 75A/600V 1.5V TO-247
IDW100E60 100A/600V 1.5V TO-247
IDP30E120 30A/1200V 1.65V TO-220
专利二极管不同于其他品牌的:
☆600V最高工作结温高达Tjmax≤175℃,高温特性好
☆正向导通压降极低600V ,VF = 1.5V;1200V ,VF = 1.65V
☆VF基本不