多晶三硒化二铟（In2Se3）核心技术：THM 移动式加热方法，见碲化镉工艺，提供技术对接及材料应用解决方案。
1，物理性质：
原子量：193.508
变形的NaCl结构，黑色，暗淡油脂光泽，易碎。
熔点：660 ℃
密度：5.55 g/cm3
2，规格：
化学纯度：
高纯硒化铟：InSe-05 纯度99.999%以上，银，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铝杂质总含量小于10ppm。
3，物理性状：质软黑色块或粉。
4，用途：
主要用作半导体，光导材料，光，电传感器件。
5，包装：聚乙烯瓶封装。
硒化亚铜分子式： Cu2Se 核心工艺（见碲化镉工艺）亚价类化合物的特殊工艺。提供技术对接
性质：黑色立方晶体。相对密度6.749。熔点1113℃。。由化学计量的铜和硒混合物在真空石英封管内加热而得或由铜盐和亚硒酸的氨溶液经水合肼还原制得。用作半导体。
2，规格：
化学纯度：
高纯硒化亚铜-05 纯度99.999%以上，银，铝，砷，金，镉，铬，铜，铁，镁，锰，镍，铅，锡，锌杂质总含量小于10ppm；
超纯硒化亚铜-06 纯度99.9999%以上，银，铝，砷，金，镉，铬，铜，铁，镁，镍，铅，锌杂质总含量小于1ppm。
3，物理性状：锭，粉，丸，粒，针状等。
4，用途：
主要用于制备族化合物半导体。
5，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装。