CH.GREAT蓄电池6-FM-7 12V系列产品说明

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UPS电源输入配电的选择

      UPS可以向负载提供稳压精度高、稳频、波形失真度小的高质量电源，并且在与静态旁路切换时可以做到供电无间断。但要做到这点，它的前级

供电质量不容忽视。我们在设计通信机房前级供电系统时，应考虑以下几个方面：

     (1)前级供电系统电源质量不宜太差，电压及频率应稳定在正常范围。

目前用可控硅设计的UPS范围为-15%、+10%，用IGBT整流器设计的范围为-25%、+23%;频率范围选择范围较宽的50Hz±5Hz;电压过低，将使

UPS备电池频繁放电， 终因长期处于欠压充电状态而大大缩短它的使用寿命，相反，电压过高，则易引起逆变器损坏。

对于旁路输入，其电压和频率波动也有一定的范围，一般为额定电压±10%，如果前级电源变化范围过大，就会导致逆变器和旁路电源之间的切换被

禁止或有间断。

因此，如果通信机房的前级电网在电压范围上达不到要求，应在UPS前级配置合适的抗干扰交流稳压电源，但不宜采用电子管型交流稳压器或磁饱和

稳压器，因为这两类稳压器在开机时可产生瞬时高压，输出波形失真度也较大，易造成UPS故障。

  (2)前级供电系统中不应当带有别的频繁启动负载，比如经常使用的电梯，频繁开启的空调等。原因是在这些负载开、关机时会出现瞬间高低压，使

供电线路上电压波形失真度过大，造成UPS市电旁路供电与逆变器供电转换控制电路误动作，进而引起同步控制电路故障。

所以在条件许可下，宜将UPS电源尽可置于电网输入的前端。

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更为严格的行业标准和政府法规的变迁是更高能效产品的关键驱动因素。例如数据中心正呈指数级增长以跟上需求，其耗电量约占全球总电力供应量（+ 400TWh）的3％，也占总温室气体排放量的2％，与航空业的碳排放量相同。在这些巨大的能源需求之下，各地政府正加紧实施更严格的标准和新的法规，以确保所有依赖能源的产品必须达到高能效。

我们也看到对更高功率密度和更小空间的需求。电动汽车正尝试减轻重量并提高能效，以实现更高的续航里程。车载充电器（OBC）和牵引逆变器如今正在采用宽禁带产品来达标。

SiC和GaN是宽禁带(WBG)材料，为下一代功率器件提供基础。与硅相比，它们的特性和性能更出色，因为其类金刚石的结构要求更高的能量，以将稳定的电子移动到传导之中。

其主要的优势之一是显着减少开关损耗，这使器件工作更低温，有助于缩小散热器和成本。其次是增加了开关速度。如今设计师能超越硅MOSFET或IGBT的物理极限，让系统能够减少变压器、电感器和电容器等无源元件。因此WBG方案能提高系统能效、缩小尺寸、降低元件成本、及提高功率密度。

安森美SiC及GaN产品

SiC二极管广泛用于各种要求高能效的PFC 拓扑。EMI极快的反向恢复使其也更容易处理。安森美半导体提供完整的650V和1200V SiC二极管阵容，涵盖单相和多相应用中的所有功率范围。我们的1200V MOSFET将于2018年晚些时候发布，它们将提供高的性能、出色的坚固性和高可靠性。安森美半导体拥有终端结构专利，确保免受任何与湿气相关的故障。

GaN越来越受市场接受。这技术经历了几次迭代；从'D模式'、到共源共栅（Cascode）、到现在新的'E模式'（常关）设备。GaN具有闪电般速度，对PCB布局和门驱动的要求很高。我们看到设计人员现了解如何使用GaN及其与硅相比的显著优势。我们正与的汽车和工业伙伴合作，为下一代系统（如OBC和服务器电源）提供高的功率密度和能效。我们将于2018年晚些时候发布新品，其中将包括安森美半导体为GaN量身定制的更多筛选技术和工艺，CH.GREAT蓄电池6-FM-7 12V系列产品说明以确保提供市场上高质量的产品。