CNW储霸蓄电池6-GFM-50 12V50AH规格及参数

储霸蓄电池长时间放电特性。

适用于备用和储能电源使用。

特殊的极板设计，循环使用寿命长。

特殊的铅合金配方，增强了板栅的耐腐蚀性，延长了电池使用寿命。

专用隔板增强了电池内部性能。

热容量大，减少了热失控CNW储霸蓄电池6-GFM-50 12V50AH规格及参数的风险，不易干涸，可在较恶劣的环境中使用。

气体复合效率高。

失水极少无电解液层化现象。

贮存期较长。

良好的深放电恢复性能。

采用气相二氧化硅颗粒度小，比表面积大。

自放电率极低，适应温度范围广。

采用阀控式安全阀，使用安全、可靠。

应用领域：广泛使用在通CNW储霸蓄电池6-GFM-50 12V50AH规格及参数系统、电力系统、应急灯照明系统、自动化控制系统、消防和安全警报系统、太阳能、风能系统、计算机备用电源、便携式仪器、仪表、医疗系统设备、电动车、电动工具等。

安装调试

⑴ 运用带有缘套的工具如钳子等。运用不缘的工具或许会形成电池短路、发热或焚烧，危害电池。

⑵ 不要将电池放置在密闭的房间或近火源的当地，否则或许会因为电池释放的氢气形成或起火。

⑶ 不要用稀释剂、汽油、火油或合成液去清洁电池。运用上述材料会导致电池外壳决裂走漏或起火。

⑷ 当处理36伏或更高电压的电池时，要采纳安措施带上缘橡皮手套，否则或许会遭到电击。

⑸ 不要将电池放在或许被水淹的当地。如果电池浸在水中，它或许会焚烧或电击伤人。

⑹ 拆卸电池时请缓慢处理。不要CNW储霸蓄电池6-GFM-50 12V50AH规格及参数使电池决裂、走漏。

光刻机当前全球是ASML牛，甚至用于7nm及以下的EUV光刻机，只有ASML能够生产，可以说ASML卡住了全球所有芯片制造企业的脖子。

至于刻蚀机能够生产的厂商多一些，当然更重要的是中国厂商在刻蚀机这一块，也非常先进，达到了水平。

国产厂商中微半导体，在几年CNW储霸蓄电池6-GFM-50 12V50AH规格及参数前就生产出5nm的光刻机了，并且被TSMC采购，用于5nm的芯片生产线，估计苹果的A14、A15、麒麟9000等芯片制造中就使用了中微的刻蚀机。

如今晶圆厂的工艺不断进入，已经进入到4nm了，甚至马上就要进入3nm了，而作为刻蚀机厂商的中微半导体，当然也会有新产品推出。

在近日的年度业绩说明会上，中微就表示，正在开发新一代的刻蚀设备，可以用于5nm及以下的逻辑工艺，还有1XnmDRAM芯片、128层以上的3D NAND芯片等产品。

另外还表示，公司开发出的12寸的高端刻蚀机，已运用在65－5nm等先进芯片生产线上，同时还根据客户需求，开发出了小于5nm的刻蚀设备，用于若干关键步骤的加工，并且获得了行业客户的批量订单。

从这个表述中可以看出来，中微半导体已经开发出了5nm以下的刻蚀机，并且已经被客户批量采购了。另外中微还在开发新一代的刻蚀机，用于5nm以下的芯片等制造。

对此，不知道大家怎么看？如果国产半导体CNW储霸蓄电池6-GFM-50 12V50AH规格及参数设备厂商，都像中微一样，能将精度推进到5nm甚至5nm以下，那我们还怕什么，美国再也卡不住我们脖子了，所以其它的设备厂商们，加油吧，好好向中微半导体学习学习。