定西科士达UPS电源YDC9330

科士达UPS电源YDC9330过电流损坏; igbt有一定抗过电流能力，但必须注意防止过电流损坏。igbt复合器件内有一个寄生晶闸管，所以有擎住效应。图5为一个igbt的等效电路，在规定的漏极电流范围内，npn的正偏压不足以使npn晶体管导通，当漏极电流大到一定程度时，这个正偏压足以使npn晶体管开通，进而使npn和pnp晶体管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，门极失去了控制作用，便发生了擎住效应。igbt发生擎住效应后，漏极电流过大造成了过高的功耗，zui后导致器件的损坏。 过电压损坏; igbt在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，如果尖峰电压过压则可能造成igbt击穿损坏。 桥臂共导损坏; 过热损坏和静电损坏。 3、igbt损坏的解决对策 过电流损坏 为了避免igbt发生擎住效应而损坏，电路设计中应保证igbt的zui大工作电流应不超过igbt的idm值，同时注意可适当加大驱动电阻rg的办法延长关断时间，减小igbt的di/dt。驱动电压的大小也会影响igbt的擎住效应，驱动电压低，承受过电流时间长，igbt必须加负偏压，igbt生产厂家一般推荐加-5v左右的反偏电压。在有负偏压情况下，驱动正电压在10—15v之间，漏极电流可在5～10μs内超过额定电流的4～10倍，所以驱动igbt必须设计负偏压。由于ups负载冲击特性各不相同，且供电的设备可能发生电源故障短路，所以在ups设计中采取限流措施进行igbt的电流限制也是必须的，可考虑采用igbt厂家提供的驱动厚膜电路。如fuji公司的exb841、exb840，三菱公司的m57959al，57962cl，它们对igbt的集电极电压进行检测，如果igbt发生过电流，内部电路进行关闭驱动。这种办法有时还是不能保护igbt，根据ir公司的资料，ir公司推荐的短路保护方法是：首先检测通态压降vce，

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