CH.GREAT蓄电池6-GFM-24 技术参数

CH.GREAT蓄电池6-GFM-24 技术参数

CH.GREAT蓄电池6-GFM-24 技术参数

      CH.GREAT蓄电池铅酸蓄电池12V

一.应用范围 ：通讯设备 不间断电源 应急灯 电力系统 警报系统 太阳能系统 玩 具

二.优越性

1、维护简单 充电时电池内CH.GREAT蓄电池6-GFM-24 技术参数部产生的气体基本被吸收还原成电解液、基本没有电解液减少

2、持液性高 电解液吸收地特殊的隔板中，保持不流动状态，所以即使倒下也可使用。（倒下超过90度以上不能使用）

3、安全性能优越 由于极端过充电操作失误引起过多的气体时可以放出，防止电池的破裂。

4、自放电极小 用特殊铅钙合金生产栅，把自放电控制在小。

5、寿命长、经济性好 电池的板栅采用耐腐蚀好的特种铅钙合金，同时采用特殊隔板能保住电解液，再同时用强力压紧正板活性物质，防止脱落，所以是一种寿命长、经济的电池。

6、内阻小 由于内阻小，大电流放电特性好。

7、深放电后有优的恢复能力 万一出现长期放电，只要充分充电，基本不出现容量降低，很快可以恢复。

      CH.GREAT蓄电池产品特性及详细参数：用途：大，中，小型UPS电源，通讯领域，设备，安全系统等。寿命：浮充期待寿命6年25度/ 10年20度。泰斯特蓄电池针对USP应用所设计CH.GREAT蓄CH.GREAT蓄电池6-GFM-24 技术参数电池寿命长(25摄氏度浮充使用，设计寿命高达5~8年)泰斯特蓄电池更安全(壳体采用阻燃材料，产品通过UL安全认证)CH.GREAT蓄电池自放电小(存储时间长达1~2年)泰斯特蓄电池密封性好(密封反应效率高达99.9%以上)泰斯特蓄电池3年之内出现质量问题免费更换

      CH.GREAT蓄电池特点：

·采用电池槽盖、极柱双重密封设计，确保不漏酸。·吸附式的玻璃的氧复合效率有效地控制了电池内部水分的损失，因此在整个电池的使用过程中无需补水或补酸维护。·安全可靠，特殊的密封结构，阻燃单向排气系统，在使用过程中不会产生泄漏，更不会发生火灾。·使用计算机精设计的低钙铅合金板栅，大限度降低了气体的产生，并可方便循环使用，大大延长了电池的使用寿命。·粗壮的极板、槽盖的热封黏结，多元格的电池设计使电池的安装和维护更经济。· 体重比能量高，内阻小，输出功率高。·充放电性能高，自放电控制在每CH.GREAT蓄电池6-GFM-24 技术参数个月2%以下（20℃）。·恢复性能好，在深放电或者充电器出现故障时，短路放置30天后，仍可充电恢复其容量。·温度适应性好，可在-40~50℃下安全使用。·无需均衡充电，由于单体电池的内阻、容量、浮充电压一致性好，确保电池在使用期间无需均衡充电。·电解液被吸附于特殊的隔板中，不流动，防涌出，可坚立、旁侧、或端侧放置。·满荷电出厂，无游离电解液，可以以无危险材料进行水、陆运输

       根据牛芯半导体披露，牛芯半导体（深圳）有限公司（简称“牛芯半导体”）完成超亿元B轮股权融资，由海松资本领投，其他出资方包括：**资本、基石资本、鹰盟资本、龙鼎投资等。本轮融资将用于高端接口IP产品的研发和推广，主要涉及PCIE5．0、56／112GSerDes、DDR5／LPDDR5、GDDR6等。

为满足中高端核心IP国产化需求，牛芯半导体长期专注于接口IP相关技术的自主知识产权研发，产品包含SerDes、DDR等中高端接口IP。SerDes是英文Serializer（串行器）／Deserializer（解串器）的CH.GREAT蓄电池6-GFM-24 技术参数简称，是一种有线与无线通信应用中的关键互联技术；DDR（DoubleDataRate，双倍速率）及LPDDR（LowPowerDoubleDataRate，低功耗内存）技术则是服务器、企业存储、高性能计算、消费类电子等应用中的关键并行互联技术。

IP核，即知识产权核或知识产权模块，是经过反复验证过的、可以重复使用的集成电路设计宏模块，主要应用于专用集成电路（ASIC）或者可编辑逻辑器件（FPGA）。半导体IP授权属于半导体设计的上游，IP授权的出现源自半导体行业的“Fabless＋Foundry”的垂直分工模式，设计公司无需对芯片每个细节进行设计，而是通过购买成熟可靠的IP方案，实现某个特定功能。

根据摩尔定律，高性能芯片设计难度将不断在加大，且IP核技术壁垒较高，想独立完成所有芯片IP设计需要大量的研发资源和成本。对应之下使用经过验CH.GREAT蓄电池6-GFM-24 技术参数证的IP核可以有效降低设计风险和成本。通常设计者完成IC（integratedcircuit，集成电路）设计的周期一般只有3个月，但IC的复杂度以每年55％的速率递增，设计能力每年仅提高21％。因此，知识产权（IP）的再使用能缩短产品上市时间。

根据IPnest的数据，2020年全球半导体IP市场规模46亿美元，同比增长16．7％，是自2000年以来的快增速。未来随着云服务器和数据中心、汽车、智能家居设备和医疗保健领域相关的高增长应用所带来的需求增加，IP市场规模预计将进一步增长。根据IBS的预测，全球IP市场规模将在2025年达到73亿美元，对应2020－2025CAGR为5．5％。

根据IPnest的数据，IP市场格局高度集中，市场份额主CH.GREAT蓄电池6-GFM-24 技术参数要集中在前三大厂商手中，2020年CR3为66．2％，CR10为79．3％，其中国内仅有一家芯源股份。IP作为集成电路产业链上游的关键因素，正扮演越来越重要的角色，但也是中国集成电路产业链中为薄弱的环节之一，中高端核心IP国产化需求亟待满足。