北京晶宇兴科技 航天级电压可调振荡器

锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究

空间辐射环境中的锁相环在SET作用下，航天级电压可调振荡器加工，将产生频率或相位偏差，航天级电压可调振荡器多少钱，甚至导致振荡中止，造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路，也是对SET敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型，采用TCAD混合模拟的方法，针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器，研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响，通过分析失效机理，以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明，当器件工作在截止区时，入射粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高，轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差也是增大的。

压控振荡器性能指标

1.中心频率是指频率调节范围的中间值，即振荡器频率的大值和小值的中间值，航天级电压可调振荡器，中心频率的大小取决于振荡器的结构和元器件参数，而且还随着工艺和温度相应改变;随着科学技术的不断发展和产品性能的调高，现如今CMOS压控振荡器的中心频率能够达到10GHz。

2.调谐范围是指调节输出频率的变化范围，即振荡器的大调谐频率和小调谐频率的差值压控振荡器要有足够大的调谐范围才能满足输出频率达到所需要的值。

LC压控型压控振荡器

在任何一种LC振荡器中，将压控可变电抗元件插入振荡回路就可形成LC压控振荡器。早期的压控可变电抗元件是电抗管，航天级电压可调振荡器价格，后来大都使用变容二极管。图 2是克拉泼型LC压控振荡器的原理电路。图中，T为晶体管，L为回路电感，C1、C2、Cv为回路电容，Cv为变容二极管反向偏置时呈现出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。当输入控制电压uc改变时，Cv随之变化，因而改变振荡频率。这种压控振荡器的输出频率与输入控制电压之间的关系为VCO输出频率与控制电压关系式中C0是零反向偏压时变容二极管的电容量；φ 是变容二极管的结电压；γ 是结电容变化指数。为了得到线性控制特性，可以采取各种补偿措施。

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