T-POWER耐康蓄电池NP65-12 型号及参数

T-POWER耐康蓄电池NP65-12 型号及参数

T-POWER耐康蓄电池NP65-12 型号及参数

       T-POWER耐康蓄电池性能特点

1)安全性能好：正常使用下无电解液漏出,无电池膨胀及破裂。

2)放电性能好：放电电压平T-POWER耐康蓄电池NP65-12 型号及参数稳,放电平台平缓。

3)耐震动性好：完全充电状态的电池完全固定,以4mm的振幅,16.7Hz的频率震动1小时,无漏液,无电池膨胀及破裂,开路电压正常。

4)耐冲击性好：完全充电状态的电池从20cm高处自然落至1cm厚的硬木板上3次。无漏液,无电池膨胀及破裂,开路电压正常。

5)耐过放电性好：25摄氏度,完全充电状态的电池进行定电阻放电3星期（电阻值相当于该电池1CA放电要求的电阻）,恢复容量在75%以上。

6)耐过充电性好：25摄氏度,完全充电状态的电池0.1CA充电48小时,无漏液,无电池膨胀及破裂,开路电压正常,容量维持率在95%以上。

7)耐大电流性好：完全充电状态的电池2CA放电5分钟或10CA放电5秒钟。无导电部分熔断,无外观变形。

在使用UPS供电系统的过程中，嗣峭娴厝衔畹绯厥敲馕さ亩患又厥印H欢凶柿媳砻鳎蛐畹绯毓收隙?/span>UPS主机故障或工作不正常的比例大约为1/3。由此可见，加强对UPS电T-POWER耐康蓄电池NP65-12 型号及参数池的正确使用与维护，对延长蓄电池的使用寿命，降低UPS电源系统故障率，有着越来越重要的意义。除了选配正规品牌蓄电池以外，应从以下几个方面入手正确地使用与维护蓄电池：(1)   保持适当的环境温度。影响蓄电池寿命的重要因素是环境温度，一般电池生产厂家要求的zui佳环境温度是在20℃～25℃之间。虽然温度的升高对电池放电能力有所提高，但付出的代价却是电池的寿命大大缩短。据试验测定，环境温度一旦超过25℃，每升高10℃，电池的寿命就要缩短一半。目前UPS所用的蓄电池一般都是阀控式密封铅酸蓄电池，设计寿命普遍是5年，这在电池生产厂家要求的环境下才能达到。达不到规定的环境要求，其寿命的长短就有很大的差异。另外，环境温度的提高，会导致电池内部化学活性增强，从而产生大量的热能，又会反过来促使周围环境温度升高，这种恶性循环，会加速缩短电池的寿命。(2)   定期充电放电。UPS电源系统中的浮充电压和放电电压，在出厂时均已调试到额定值，而放电电流的大小是随着负T-POWER耐康蓄电池NP65-12 型号及参数载的增大而增加的，使用中应合理调节负载，比如控制计算机等电子设备的使用台数。一般情况下，负载不宜超过UPS额定负载的60％。在这个范围内，蓄电池就不会出现过度放电。UPS因长期与市电相连，在供电质量高、很少发生停电的使用环境中，蓄电池会长期处于浮充电状态，时间长了就会造成电池化学能与电能相互转化的活性降低，加速老化而缩短使用寿命。因此，一般每隔2～3个月应完全放电一次，放电时间可根据蓄电池的容量和负载大小确定。一次全负荷放电完毕后，按规定再充电8小时以上。

       作为光电转换的核心器件，光模块通过将发送端电信号转换成光信号，然后通过光纤进行传送，后在接收端再将光信号转换成电信号，进而完成光信号在一定距离上的传输。从大体结构上来看，光模块主要由光电子器件、功能电路和光接口等组成，光电子器件包括发射和接收两部分。光模块按照封装形式分类，常见的有SFP，SFP＋、GBIC、XFP等类型。

在光模块的特性中，大的特性区分在于传输速率。按照传输速率的不同，光模块可以分为低速率、2.5G、10G、40G、100G、200G、400G等等。不同传输速率匹配光网络不同环节和应用场景T-POWER耐康蓄电池NP65-12 型号及参数。此外，光模块传输距离的长短则是另一大核心参数，根据其传输距离的不同，大体可以分为短距离光模块、中距离光模块，以及长距离光模块三种类型，其中长距离光模块特指传输距离为30km以上的光模块，能满足网络数据长距离传输的需求。

光模块产业链包括芯片、器件、模块成品。其中，要数芯片的技术含量大，行业准入门槛很高。在芯片领域，国内厂家相对弱势，特别是在高端产品领域，几乎由国外厂家完全垄断。而在器件领域，种类繁多，整体呈现全球全球协同竞争，在这一领域的国内厂家相对较多，国内厂家在无源器件方面表现较为强势，有源器件也呈现出迅猛增长趋势。随着光通信系统的不断升级，模块成品的迭代速度也在不断加T-POWER耐康蓄电池NP65-12 型号及参数快。近年来数据中心的增长速度不断加快，为光模块市场打开了空间，整体估算可以达到近300亿元。

光芯片：技术壁垒高、国内有待突破

光芯片是模块中价值集中的部分，在光模块中成本占比30％至50％，在高端产品中占比甚至能达到50％到70％。目前，在整个中，国外厂商占据了高端光芯片市场大约9成份额。从核心芯片能力分析，国内企业目前只掌握了 10Gb/s 速率及以下的激光器、探测器、调制器芯片，以及 PLC/AWG 芯片的制造工艺以及配套 IC 的设计、封测能力，整体水平与国际企业还有较大差距，特别是在高端芯片能力方面，比美日发达国家落后 1-2 代以上。而国内光芯片厂商目前集中于10G及以下市场，其中，具代表性的国内厂商有光迅科技、昂纳科技、海信宽带等。

由于缺乏完整、稳定的光电子芯片、器件加工工艺平台以及相关配套人才队伍，国内还难以建立起标准化光通信器件研发体系，这是制约国内光芯片突破的症结所在。因此，在光芯片领T-POWER耐康蓄电池NP65-12 型号及参数域，国内厂商们仍需加强研发投入，稳步突破技术和工艺瓶颈，加强国产化替代，进而强化国内产业链结构。