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不同类型的电离室构造

不同类型的电离室构造大致分为两种：一种是平板电离室，一种是圆柱型电离室。如下图所示：左侧为平板电离室，右侧为圆柱型电离室。电离室内电子和正离子的漂移，使得两电极上感生的电荷发生变化，从而形成电压或电流脉冲。这种脉冲始于离子对生成，矩阵电离室哪家好，终于离子对全部被收集。必须指出：不能以为脉冲是由电子和离子被收集到电极上才形成的，矩阵电离室厂家，这是不符合实际的。

电离室离子复合

在脉冲式辐射场中，矩阵电离室多少钱，Ks的推导建议使用双电压法。这里需要假定剂量仪读数（M）和所使用的偏压（V）之间存在线性关系。M1和M2分别是偏压为V1和V2的剂量仪读数。其中，矩阵电离室，V1是常用偏压，V2小于V1，一般V1/v2≥3。此时，常压V1时的复合效应表达式为：

Ks=a0 a1（M1/M2） a2（M1/M2）2注意：因为Ks与剂量率相关，故测定时，应使用剂量率。

电离室极化效应

电离室极化效应在电子束测量中的影响尤为显著。其测量一般使用“正负偏压法”完成。Kpol = （|M | |M-|）/2M，其中，M 和M-分别为电极正反接（正负偏压）时对应的剂量仪读数。M是日常使用极性情况下的剂量仪读数。每个读数都是多次（一般为3次）测量后的平均值。为了消除加速分次间出束剂量波动对剂量仪读数的影响。

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