低本底v能谱仪厂家 中核控制系统 八路低本底v能谱仪厂家

单路低本底α、β测量仪简介

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技术性能

β效率本底：仪器对于90Sr-90Y β（活性区Φ20mm）源的2π探测效率比≥50%时，本底≤0.15cm-2min-1；

α效率本底：仪器对于239Puα（活性区Φ30mm）源的2π效率比≥80%时，本底≤0.005 cm-2min-1；

α/β交叉性能：α进入β道lt;3%（对239Pu）；β进入α道lt;0.5%（对于90Sr-90Y）；

α/β交叉性能：β进入α道lt;0.5%（对于90Sr-90Y）；

效率稳定性：仪器连续通电8小时以上，各路探测器效率变化小于±5%；

本底稳定性：在1000min的测量时间内，本底计数变化在（Nb±3σ）的范围内，其中Nb 为本底计数的平均值，八路低本底v能谱仪厂家，σ为本底计数的标准误差；

绝缘电阻：≥2兆欧姆；

耐压绝缘度：＞1500V；

使用环境

电源电压：交流220V±10%，50HZ，功耗≤20W。

环境温度：5～40℃

相对湿度：＜90%。

尺寸重量：320mm×245mm×630mm，低本底v能谱仪厂家，总重量约200kg。

低本底α、β测量仪的技术参数介绍

技术参数

1.对239Pu α标准源的2π探测效率≥85%时，本底≤0.08个计数cm-2h-1，典型值为 0.02个计数cm-2h-1。

2.对于90Sr-90Y β标准源2π探测效率≥40%时，本底≤0.08个计数cm-2min-1，典 型值为0.03个计数cm-2min-1。

3.混道性能：α进入β道的计数效率≤1%，β进入α道的计数效率为零。

4.稳定性：8h后，α效率变化在±≤5%；β效率变化在±≤10%范围内。

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低本底供应商简介

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