PEB之后，硅片冷却至23℃左右，与显影液温度相同，并与显影液发生化学反应。一般来说，显影过程中被曝光和未曝光部分的光刻胶都会与光刻胶发生反应，对显影的要求不高，可以直接将硅片放入显影液槽中浸泡然后取出。对于大部分对显影要求较高的生产及实验过程，凹凸面曝光显影订制，通常使用的匀胶显影机来自动控制显影过程，如图所示。凹凸面曝光显影凹凸面曝光显影
工艺工程师的目标是保持尽可能低的重新工艺处理率，处理率应小于10%，而5%是一个受欢迎的水平。在掩膜次序中有较宽的特征图形尺寸、较平的表面和较低的密度，所有这些会使掩膜良品率更高。曝光后应尽快进行显影步骤中的烘干处理，凹凸面曝光显影，从而有效降低驻波效应的影响，这是由于曝光过程中，入射光和反射光会产生相互干涉，凹凸面曝光显影厂， 凹凸面曝光显影凹凸面曝光显影凹凸面曝光显影
显影的主要过程如下：
对准曝光→曝光后烘→显影→坚膜→显影检测。
对准曝光（Alignment and Exure）
对准曝光阶段是光刻工艺的重要阶段，凹凸面曝光显影定制，使用的掩膜曝光机，即光刻机，集中了光刻工艺中重要的工艺技术。对准曝光过程通常在黄光实验室中进行。
曝光后应尽快进行显影步骤中的烘干处理，从而有效降低驻波效应的影响，这是由于曝光过程中，
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