随着半导体芯片工艺技术节点进入 28 纳米、14 纳米等更先进等级，半导体氧化设备，工艺流程的延长且越趋复杂，产线成品率也会随之下降。造成这种现象的一个原因就是先进制程对杂质的敏感度更高，小尺寸污染物的清洗更困难。解决的方法主要是增加清洗步骤。每个晶片在整个制造过程中需要甚至超过 200 道清洗步骤，半导体氧化设备价格，晶圆清洗变得更加复杂、重要及富有挑战性。
使用过程产品: A 815 GD浓度: 10%温度: 131-140°F (55°C)设备: 2 套单独的清洗流程， 200L 超声波设备，半导体氧化设备公司， 4000L 浸没设备。冲洗: 3 个阶段: 自来水， 去离子水以及终的去离子水. 所有的冲洗需要在接近 22 – 25°C的环境进行.通过一个闭环去离子水系统(水通过去离子水床的连续循环)，终的冲洗被控制在至少4兆欧姆的电阻率。结论: 具有持续良好的清洁能力 。BHC 的优势: 的排气性能和清洗部件能力。使用BRULIN815GD清洗的半导体设备零部件，半导体氧化设备报价，为更好地去除水分和挥发极低的有机物，要需零部件进行后处理：在惰性气体、真空度为0.13Pa、设定温度为500K（227°）的烘烤箱进行烘烤，进行装配。
为什么零部件需要去除油污:减少部件表面上的离子杂质。满足容器排气（outgassing)性能的测试 (由第三方实验室检测).此测试检测出了在真空下嵌入金属表面的有机材料的数量和成分。如果测试中的数量太大，则意味着终的加工设备很难将容器真空至全真空状态。815 GD 在这些测试中都有的表现， 主要表现为的清洁能力以及测试中未发现清洗剂的残留。
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