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- 2022-12-19 14:02:55
硅表面疏水性处理微观机理与亲水性处理机理相似,硅表面成为疏性的基本条件为B=A=r(SL)- r(SG)>0
硅片表面必须由高能转化为低能表面。从上式可以看出:完成上述转化的条件为或者使 r(SG)下降,或者r(SL)上升。方法还是改变其表面结构,广西疏水处理,使 r(SG)减小。硅片经过特殊清洗液洗时,表面形成的自然氧化膜腐蚀掉,Si几乎不被腐蚀。硅片外层的Si儿乎以H键为终端结构,表面呈疏水性。
疏水是满足将锅炉汽水系统中的水和蒸汽冷却产生的凝结水排出的要求,为保证严密性通常设置两道阀门,在锅炉运行时通常处于关闭状态。凝结水是饱和的高温软化水,其热能价值占蒸汽热能价值的25%左右, 而且也是洁净的蒸馏水,防水疏水处理,适合重新作为锅炉给水。
一种合格的锅炉水处理剂必须有效地起到阻垢和缓蚀两作用。阻垢主要是对锅炉本体的阻垢,而缓蚀的对象包括锅炉本体以及蒸汽所通过的管道,热交换器和凝结水管道。
当硅片经清洗液处理后表面不沾水分子时称为疏水处理,反之表面吸附水膜时为亲水处理。纯净的硅片表面是疏水性的。从能量观点看,疏水性表面属低能表面,这时硅片表面张力r(SG)小于水分子表面张力r(SL)。亲水性表面则属高能表面,这时的硅表面张力r(SG)大于水分子表面张力r(SL)。由此可知,硅表面成为亲水性的基本条件为A=r(SG)- r(SL)>0