曝光显影是通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影，显影技术被设计成使之把完全一样的掩膜版图案到光刻胶上。.正光刻胶显影：碱（或） 水溶液、或叠氮化四铵氢氧化物的溶液（TMAH）;显影：干法光刻胶显影要求光刻胶化学物的曝光或未曝光的部分二者之一易于被氧等离子体去除，外壳曝光显影企业，换言之图案的部分从晶圆表面上氧化掉，外壳曝光显影加工，外壳曝光显影
曝光显影时间的控制 曝光时间是影响干膜图像非常重要的因素。由于UV光具有穿透物质的特性，同时也由于环氧树脂等具有强烈吸收UV光的特性，外壳曝光显影，因而具有强烈的光交链反应，从而使固化完全和赶出物质。显影包括正显影和反转显影。正显影中显影色粉所带电荷的极性，与感光鼓表面静电潜像的电荷极性是相反的，包含涂胶匀胶、烘烤、单面曝光和显影等功能单元的整套光刻显影曝光系统。外壳曝光显影
一种DESIRE的干法显影工艺会使用和氧等离子体；硬烘焙：与软烘焙一样通过溶液的蒸发来固化光刻胶，常见工艺流程如下:显影检验（develop inspec DI）：目的是区分那些有很低可能性通过终掩膜检验的晶圆、提供工艺性能和工艺控制数据、以及分拣出需要重做的晶圆。
显影技术被设计成使之把完全一样的掩膜版图案到光刻胶上。
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