七专级电压调振荡器加工 晶宇兴科技有限公司

压控振荡器优点

低相位噪声：高频低抖动的LVDS输出压控晶振，抖动小于0.6ps(12K~20M)。高频率输出:CMOS可达到245MHz，七专级电压调振荡器加工， LVDS高频率为2.1GHz， HCSL高可到700MHz。经常会结合PLL锁相电路实现超高频，如图1所示。小尺寸: VCXO尺寸为2.5x2.0mm，国产化电压调振荡器加工， CMOS输出，工作电压1.8~5.0V， 频率范围为4.0~50MHz.低功耗: 电压可选1.8V。

利用压控振荡器来控制频率

高频压控振荡器的电压控制频率部份， 通常是用变容二极管C 与电感 L， 所接成的 LC 谐振电路。提高变容二极管的逆向偏压，航天级电压调振荡器加工， 二极管内的空泛区会加大， 两导体面之距离一变长， 电容就降低了， 此 LC 电路的谐振频率， 就会被提高. 反之， 降低逆向偏压时， 二极管内的电容变大， 频率就会降低.

而低频压控振荡器则依照不同频率而选择不同的方法，江苏电压调振荡器加工，例如以改变对电容的充电速率为手段来得到一个电压控制的电流源。参见波型产生器。

锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究

空间辐射环境中的锁相环在SET作用下，将产生频率或相位偏差，甚至导致振荡中止，造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路，也是对SET敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型，采用TCAD混合模拟的方法，针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器，研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响，通过分析失效机理，以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明，当器件工作在截止区时，入射粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高，轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差也是增大的。

七专级电压调振荡器加工-晶宇兴科技有限公司由北京晶宇兴科技有限公司提供。北京晶宇兴科技有限公司是一家从事“晶体振荡器,晶体谐振器,压控振荡器”的公司。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，稳健经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“晶宇兴”品牌拥有良好口碑。我们坚持“服务至上，用户至上”的原则，使晶宇兴在晶体谐振器中赢得了客户的信任，树立了良好的企业形象。 特别说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！