随着半导体芯片工艺技术节点进入 28 纳米、14 纳米等更先进等级，半导体清洗设备，工艺流程的延长且越趋复杂，产线成品率也会随之下降。造成这种现象的一个原因就是先进制程对杂质的敏感度更高，半导体清洗设备供应商，小尺寸污染物的清洗更困难。解决的方法主要是增加清洗步骤。每个晶片在整个制造过程中需要甚至超过 200 道清洗步骤，晶圆清洗变得更加复杂、重要及富有挑战性。
半导体氧化设备具有可密封容器(或氧化室)，将具有内置加热器的加热台设置于这一氧化室的室内部。在加热台上设置衬底支座， 在衬底支座上放置半导体样品(或半导体衬底)。氧化室还设有用于向室内部提供包括蒸汽的氧化气氛的输入管和在氧化过程结束后用于排出室内部 中的氧化气氛的排出管。根据具有这样的结构的半导体氧化设备，有可能以相对高的复现性使半导体样品均勻氧化。
为什么零部件需要去除油污:减少部件表面上的离子杂质。满足容器排气（outgassing)性能的测试 (由第三方实验室检测).此测试检测出了在真空下嵌入金属表面的有机材料的数量和成分。如果测试中的数量太大，则意味着终的加工设备很难将容器真空至全真空状态。815 GD 在这些测试中都有的表现， 主要表现为的清洁能力以及测试中未发现清洗剂的残留。
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