SKKH570/16E2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，
可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
3、 反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。
使用时，不能超过手册给出的这个参数值。 4、 控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，
阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、 维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。 ■
近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，
可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，
可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
编辑本段可控硅的分类
西门康可控硅
SKKH330/12E
SKKH330/14E
SKKH330/16E
SKKH430/12E.
SKKH430/16E
SKKH460/12E.
SKKH460/16E.
SKKH500/12E.
SKKH500/16E.
SKKH570/12E.
SKKH570/16E.
SKKL15/12E
SKKL15/16E
SKKL20/12E
SKKL20/16E
SKKL26/12E
SKKL26/16E
SKKL27/12E
SKKL27/16E
SKKL41/12E
SKKL41/16E
SKKL42/12E
SKKL42/16E
SKKL56/12E
SKKL56/16E
SKKL57/12E
SKKL57/16E
SKKL71/12E
SKKL71/16E
SKKL72/12E
SKKL72/16E
SKKL91/12E
SKKL91/16E
SKKL92/12E
SKKL92/16E
SKKL105/12E
SKKL105/16E
SKKL106/12E
SKKL106/16E
SKKL122/12E
SKKL122/16E
SKKL131/12E
SKKL131/16E
SKKL132/12E
SKKL132/16E
SKKL161/12E
SKKL161/16E
SKKL162/12E
SKKL162/16E
SKKL172/12E
SKKL172/16E
SKKL210/12E
SKKL210/16E
SKKL213/12E
SKKL213/16E
SKKL250/12E
SKKL250/16E
SKKL253/12E
SKKL253/16E
SKKL273/12E
SKKL273/16E
SKKL280/12E
IXYS Three phase 三相全桥 IGBT 模块
型号 技术指标 型号 技术指标
MUBW15-06A6 15A(90℃时)/600V MUBW15-12A7 25A(80℃时)/1200V
MUBW20-06A6 20A(90℃时)/600V MUBW25-12A7 35A(80℃时)/1200V
MUBW10-12A6 8A(90℃时)/1200V MUBW35-12A7 35A(80℃时)/1200V
MUBW15-12A6 11A(90℃时)/1200V MUBW50-12E8 62A(80℃时)/1200V
Vset=2.4V
MUBW30-12A6 17A(90℃时)/1200V
整流桥系列
一．三菱整流桥 MITSUBISHI, RECTIFIER BRIDGE
型号(