制约Mini COB市场渗透率的难点-微缩芯片及外延

现阶段，集成电路芯片的制造已十分完善，但 Micro LED 支撑点技术以及相关行业企业还是处于探索环节。和传统 LED 全产业链对比，Micro LED 芯片微型化对芯片生产提出了更高要求，不仅需要将芯片尺寸微型至50um下列，同时还要达到高 PPI 要求，所以在外延性制取、PL、ITO、光刻技术、蚀刻加工、磊晶脱离、电测等各个环节均遭遇精细化管理加工工艺、合格率提高等新技术困难。除此之外，伴随着 LED 芯片尺寸缩小，蚀刻加工环节中外壁缺点将会对内部结构量子效率 IQE 产生影响，大幅降低处理芯片传送量，造成外界量子效率 EQE 高效率变弱。目前来说，反射膜添加物引进光提早构造都可完成一定程度的 EQE 提高，但中小型领域应用仍属于行程问题，发展方向仍然存在考验。