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- 2023-05-02 12:46:08
3.游离二氧化硅:通常它存在于晶体表面,大都由于电阻炉冷却过程中碳化硅的氧化而形成的。越是高温急冷,碳化硅晶体表面的二氧化硅也就越多。
4.铁、铝、钙、镁等元素由于炉内的高温以及还原性气氛、含在结晶块中的这些杂志大都是呈现合金状态或碳化物状态。这些杂质都不进入碳化硅晶体。主要堆积在晶粒的界面上和气孔中。
由此可见碳化硅的化学成分也需要大家关注,尤其是在做高科技研究方面,碳化硅的一些指标含量需要到得到的化验才能保证生产、实验的进行。
碳化硅的强度是在静负荷下用压磨粒的方法检验的,取5克碳化硅样品放到圆柱盘表面,上方加放另一个圆柱盘,加压至30KG/cm2,筛除压碎的碳化硅粒,取未压碎部分的重量与原碳化硅样品总重量做比值,比值越大,碳化硅价格,碳化硅的强度越大,反之,则说明碳化硅的强度小。
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