6ES7215-1BG40-0XB0现货

　IGBT是电力电子装置的CPU，在电力电子变流和控制中起着举足轻重的作用。变频器中，IGBT模块更为重要,但是IGBT模块会经常出现爆炸的情况。其原因是在工控生产中会因为某些因素产生十分巨大的损耗，热量散不出去，导致内部温度极高，产生气体，冲破壳体，这就是所谓的IGBT爆炸。

 　　IGBT爆炸原因分析【变频器配套设备】

 　　1.爆炸的本质是发热功率超过散热功率，内部原因应该就是过热。

 　　2.人为因素：

　　(1)进线接在出线的端子上

　　(2)变频器接错电源

　　(3)没按要求接负载

 　　3.常见原因：

　　(1)过电流 ：一种是负载短路，另一种是控制电路处逻辑受干扰，导致上下桥臂元件直通。

　　(2)绝缘的损坏

　　(3)过电压 ：通常是线路杂散电感在极高的di/dt作用下产生的尖峰电压而造成，解决的办法就是设计高性能吸收回路，降低线路杂散电感。

　　(4)过热 ：IGBT不能完全导通，在有电流的情况下元件损耗增大，温度增加导致损坏。

　　(5)通讯误码率 a.通讯一段时间后，突然的错误信息导致IGBT误导通使 IGBT爆炸;b.通讯板FPGA程序运行不稳定导致IGBT误导通使IGBT爆炸

　　4.其他原因：

　　(1)电路中过流检测电路反应时间跟不上。

　　(2)IGBT短路保护是通过检测饱和压降，而留给执行机构的时间一般是10us(8倍过流)在上电的时候容易烧预充电电阻和制动单元里的IGBT。

　　(3)工艺问题：铜排校着劲、螺丝拧不紧等。

　　(4)短时大电流：原因也有很多，比如死区没设置好、主电路过压、吸收电路未做好。

　　(5)驱动电源也是个应该特别注意的问题，该隔离加隔离、该滤波加滤波。

　　(6)电机冲击反馈电压过大导致IGBT爆炸。但对于充电时爆炸的情况发生的概率不是很大。

　　(7)电机启动时，输入测电压瞬间跌落，电容放电。输入测电压恢复后电容充电时的浪涌电流过大致使IGBT爆炸。

程序应用举例，将AC0中的字循环右移2位，将VW200中的字左移3位。程序及运行结果如图所示。

 当允许输入端EN为高电平“1”时，输入端IN1和IN2中的整数相加，结果送入OUT中。如果该结果超出了整数（16位）允许的范围，OV位和OS位将为“1”并且EN0为逻辑“0”，这样便不执行此数学框后ENO连接的其他函数。IN1和IN2中的数可以是常数。整数加的表达式是：IN1+IN2 = OUT。

    整数加(ADD_I)指令和参数见表4-44。

    表4-44    整数加(ADD_I)指令和参数

整数加(ADD_I)指令和参数

    下面艾特贸易网小编用一个例子来说明整数加(ADD_I)指令，梯形图和指令表如图4-82所示。当I0.0闭合时，激活整数加指令，IN1中的整数存储在MW0中，假设这个数为11，IN2中的整数存储在MW2中，假设这个数为21，整数相加的结果存储在OUT端的MW4中的数是32。由于没有超出计算范围，所以Q0.0输出为“1”。假设IN1中的整数为9999，IN2中的整数为30000，整数相加的结果存储在OUT端的MW4中的数是25537。由于超出计算范围，所以Q0.0输出为“0”。

    图4-82    整数加(ADD_I)指令示例

    双整数加(ADD_DI)指令与整数加(ADD_I)指令类似，只不过其数据类型为双整数，在此电子开发网不赘述。