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磁场强度：在不考虑磁介质时，磁场的安培环路定理，可写作: ；在有磁介质的情况下，介质中各点的磁感强度B等于传导电流I和磁化电流分别在该点激发的磁感强度和之矢量和，即:
　　　　　　　　　　　　  ,
因此磁场的安培环路定理中，还须计入被闭合路径l所围绕的磁化电流，即: 
但是，由于磁化电流的分布不仅和有关，而且和磁介质的性质、表面形状有关，它是由分子电流引起的,难于测定，在公式中应该尽量隐含掉。为此，引入描写磁场的辅助物理量H，称为磁场强度，简称H矢量，
单位：安培每平方米（）。H的定义为: 

磁化强度矢量:为了表征物质的宏观磁性或介质的磁化程度，定义磁化强度矢量M:　
式中mi 代表小体积元△V内第 i个分子的磁矩，求和遍及△V内所有分子。单位：安培/米 (A/m)。
磁化强度矢量M与描述电介质的极化强度P相当:(1) 无外磁场时，对于抗磁质，每个分子磁矩为零；对于顺磁质虽然每个分子磁矩不为零，当因其无规的取向，△V内所有的分子磁矩的矢量和仍为零。所以磁化强度为零。
(2) 有外磁场时，抗磁质发生感应磁化，M的方向与外磁场方向相反；顺磁质发生取向磁化，M的方向与外磁场同向。外磁场越大，磁化强度越强。
磁化电流:磁介质的磁化，可用磁化强度来表示，也可用磁化电流来表示。
磁化电流与电介质极化时在电介质上产生的极化电荷相当。极化电荷产生附加电场，磁化电流产生附加磁场。比如说，一载流长直螺线管，管内充满均匀磁介质。电流在螺线管内激发均匀磁场，磁介质被均匀磁化。磁介质中各个分子电流平面将转向与磁场的方向相垂直。磁介质内部任一处相邻的分子电流都是成对反向相互抵消的，结果就形成沿横截面边缘的圆电流I' 。圆电流I' 沿着柱面流动，称为磁化面电流（安培表面电流）。对于抗磁质，磁化面电流I' 和螺线管上导线中的电流I方向相反，使磁介质内的磁场减弱。对于顺磁质，磁化面电流I' 和螺线管上导线中的电流I方向相同，使磁介质内的磁场增强。
设a 是圆柱形磁介质表面上单位长度的磁化面电流，S是磁介质的截面积。在l长度上，表面电流为I' =al 。这段磁介质内的磁化强度： , 即磁介质表面某处磁化强度的大小等于此处单位长度的磁化面电流。即： , 式中n为磁介质表面某处的法线单位矢量。
一般地：(1)磁介质表面某处磁化强度的切向分量等于此处单位长度的磁化面电流。即： , 式中
　　　　　 n为磁介质表面某处的法线单位矢量。
　　　　(2)在不均匀磁介质中，磁介质内部各点都有磁化电流。
　　　　(3)磁化强度对任意闭合回路L的线积分等于回路所包围的面积内的总磁化电流：
　　　　　　　

顺磁质和抗磁质：试验表明：磁介质在外磁场 中可以被磁化，从而产生附加磁场 ，使空间的总磁场 改变: 。如果附加磁场的方向与外磁场同向，二者叠加使磁场增强，这种磁介质叫顺磁质;如果附加磁场的方向与外磁场反向，二者叠加使磁场削弱，这种磁介质叫抗磁质。
磁化机理：弱磁性材料之所以表现为顺磁质（例如锰、铬、氧等，）或抗磁质（例如铜、水银、氢等），正是因为两类材料分子磁矩的不同，从物质的电结构来看，组成物质的每一个原子中，电子不但在库仑力作用下绕原子核运动，而且电子本身还有自旋，因而每个分子都具有分子磁矩：
（1）磁介质的分子磁矩为零，在外磁场中，各个分子中的电子都因拉莫进动而产生感应磁矩。 感应磁矩的方向与外磁场方向相反，相应的附加磁场的方向也与外磁场方向相反，使介质中的磁感应强度减弱。抗磁质在外磁场中的磁化过程称为感应磁化。
（2）磁介质的分子磁矩不为零，无外磁场时，各个分子磁矩的方向完全无规则，宏观上不产生磁效应。有外磁场时，各个分子磁矩将转向外磁场方向。达到平衡时，分子磁矩将不同程度地沿外磁场方向排列起来，在宏观上呈现出附加磁场，附加磁场的方向与外磁场方向相同，使介质中的磁感应强度增加。 顺磁质在外磁场中也会出现感应磁矩，但它比分子磁矩约小5个数量级，完全可以忽略。顺磁质在外磁场中的磁化过程称为取向磁化。