功率器件光刻工艺平台 半导体 山东光刻工艺平台

MEMS光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

在半导体工艺里，沉积是指在原子或分子水平上，将材料沉积在晶圆表面作为一个薄层的过程。沉积工艺就像是喷涂刷，将涂料均匀的薄薄喷洒在晶圆表面上。

根据实现方法的不同，沉积主要分为物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。

PVD是利用物理方法，将材料源气化成气态原子、分子，或电离成离子，山东光刻工艺平台，并通过低压气体，在基体表现沉积成薄膜的过程。一般用来沉积金属薄膜。

CVD是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物，在衬底表面进行化学反应形成薄膜的方法。一般用于沉积半导体或绝缘体，微纳光刻工艺平台，以及金属合金等。

为了增强化学反应，CVD也可以与其他方法相结合。如PECVD（等离子增强CVD，就是利用等离子体来化学反应，改善CVD的方法。

根据不同目标和需求，PVD和CVD在实际工艺流程中也可以自由选择。

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芯片制造是一个极为复杂的过程，且随着制程的进步，芯片制造的步骤也在不断增加。

但无论芯片的步骤如何增加，芯片制造的步都必定是光刻，也就是通过光刻机将提前设计好的电路团刻到晶圆上。 而在整个光刻过程中，除的光刻机外，光刻板也是无法或缺的。它就好像是照相机的底片，而光刻机相当于曝光装置，两者合力才能产生终的相片。

更进一步的讲，决定电路图案的并非光刻机，而是光刻板的结构，因此光刻板犹如芯片产业链的咽喉，只有通过它，芯片的功能才可以终实现。

光刻板的准确度和细致度，直接攸关半导体芯片的品质，且光刻板不像芯片是流水线作业，每一个掩膜都需要特殊设计，因此这一行业呈现高度的定制特性。

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一般晶圆表面空洞的形成是由于在光刻板上有一部分是不透光的。如果光刻板的图形是由不透光的区域决定的，则称为亮场光刻板。而在一个暗场光刻板中，在光刻板上图形是用相反的方式编码的。如果按照同样的步骤，就会在晶圆表面留下岛区。

对光有负效应的光刻胶，称为负胶。同样还有对光有正效应的光刻胶，芯片光刻工艺平台，称为正胶。光可以改变正交的化学结构从不可溶到可溶。这种变化称为光致溶解。

通常来讲，我们是根据控制尺寸和防止缺陷的要求来选择光刻胶和光刻板极性，从而使电路工作的。

把图像从光刻板转移到晶圆表面是由多个步骤来完成的。特征图形尺寸、对准容限、晶圆表面情况和光刻层数都会影响到特定光刻工艺的难易程度和每一步骤的工艺。许多光刻工艺都被定制成特定的工艺条件。

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