重庆氮化硅材料刻蚀 半导体微纳 氮化硅材料刻蚀

氮化硅材料刻蚀——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

等离子体干法去胶：

用HDK-2型等离子刻蚀去胶机去胶，在去胶机内通入刻蚀气体O2。等离子体内的活化氧使有机物在（50—100）℃下很快氧化，生成CO2、CO、H2O等挥发性成份，从而达到去胶目的。

特殊胶（PI钝化产品、带胶注入产品）：PI去胶时除了O2，再加适量的CF4，如果去不干净再在等离子刻蚀机上用SF6处理。

一般在Si3N4刻蚀后去胶用剥除，氮化硅材料刻蚀服务价格，然后在等离子体去胶机中去胶丝，刻蚀后在显微镜下观察硅片表面是否有残丝。

去胶后检查：

1、有残胶——再去胶；

2、有残液——再清洗；

3、有残迹——用1号液清洗；

4、窗口有二氧化硅或铝残留。

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现代器件制造中使用的大多数蚀刻技术都结合了物理和化学蚀刻的各个方面。在反应离子蚀刻等工艺中(RIE)，定向蚀刻是通过偏置基板来实现的，这样等离子体中的离子物质会朝着基板表面加速。在那里，它们与表面和反应物质相互作用，产生可以被抽走的挥发性产物。RIE 中的离子能量远低于物理蚀刻技术所采用的离子能量，并且离子轰击效应可以忽略不计。离子能量转移到表面可以通过改善反应物在轰击表面上的吸附（进入的离子在吸附和反应优先发生的地方产生高能量缺陷）和通过增强的副产物解吸（进入的离子能量转移到反应产物导致它们从表面解吸）。

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Si3N4刻蚀：

在903E刻蚀机中刻蚀，刻蚀机内通入的气体有：CF4、NF3、He。

刻蚀机理是： CF4电离→CF3 F*（氟自由基）

CF3电离→CF2 F*

CF2电离→CF1 F*

12F* Si3N4→3Si F4↑ 2 N2↑

氟游离基的作用是使氮化硅被腐蚀，生成物是气体，被真空装置抽气抽走。为了加快腐蚀速率可以在CF4中加入少量氧气（5%-8%），因为氧能够抑制F*在反应腔壁的损失，并且：CF4 O2→F* O* COF* COF2 CO …… （电离）

COF*寿命较长，当它运动到硅片表面时发生以下反应从而加速了腐蚀速率：

COF*→F* CO （电离）

但是氧气加多了要腐蚀光刻胶降低选择比。

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