半导体材料 图形光刻技术定制 台湾光刻技术定制

MEMS光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

在半导体工艺中，氧化工艺非常重要，它为后续的制造步骤提供了基础和保障。氧化层不仅可以隔离和保护硅晶圆，还可以作为掩膜层来定义电路图案。没有氧化层，半导体器件就无法实现、高可靠性和高集成度。

SiO2和部分氧化物有透光特性，由于这些材料的厚度不同，就会对特定波长的光线产生衍射或反射，也就使芯片表面看上去五彩斑斓。所以芯片表面的颜色并不是真正的彩色，而是这些薄膜结构对光的反射或干涉。

通过氧化工艺，脆弱的硅基晶圆就像穿上了一层“铠甲”。

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那么第三代半导体材料究竟是什么呢？

在国际上一般把禁带宽度（Eg）大于或等于2.3 eV 的半导体材料称之为宽禁带半导体材料也称第三代半导体材料。

常见的第三代半导体材料包括：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石、氧化锌（ZnO）、氮化铝（AlN）等。

代半导体材料以硅（Si）为代表，经过长期的发展取代了笨重的电子管，从而推动了以集成电路为的微电子产品的迅猛发展；

第二代半导体材料则以镓（GaAs）和锑化铟（InSb）等为主，其中磷化铟半导体激光器是光通信系统的关键器件，而镓高速器件更开拓了光纤及移动通信新产业。

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首先，图形被转移到光刻层。光刻胶类似胶卷上所涂的感光物质。曝光后会导致它滋生性质和结构的变化。光刻胶被曝光的部分由可溶性物质变成了非溶性物质。这种光刻胶被称为负胶，这种化学变化称为聚合。通过化学溶剂把可以溶解的部分去掉，就会在光刻胶层留下一个孔，这个孔和光刻板或光刻母版不透光的部分相对应。

第二次图形转移时从光刻胶层到晶圆层。当刻蚀剂把晶圆表面没有被光刻胶盖住的部分去掉时，图形转移就发生了。光刻胶的化学性决定了它不会在化学刻蚀溶剂中溶解或时慢慢溶解;它们是抗刻蚀的，因此被称为抗蚀剂或是光致抗蚀剂。

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