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HMC是采用三维构造，在逻辑芯片上沿垂直方向叠加多个DRAM芯片，然后通过TSV连接布线的技术。HMC的特征是与既有的DRAM相比，性能可以得到极大的提升。提升的原因有二，一是芯片间的布线距离能够从半导体封装平摊在主板上的传统方法的“cm”单位大幅缩小到数十μm～1mm;二是一枚芯片上能够形成1000～数万个TSV，实现芯片间的多点连接。

　　微软之所以加入HMCC，是因为正在考虑如何对应很可能会成为个人电脑和计算机性能提升的“内存瓶颈”问题。内存瓶颈是指随着微处理器的性能通过多核化不断提升，现行架构的DRAM的性能将无法满足处理器的需要。如果不解决这个问题，就会发生即使购买计算机新产品，实际性能也得不到相应提升的情况。与之相比，如果把基于TSV的HMC应用于计算机的主存储器，数据传输速度就能够提高到现行DRAM的约15倍，因此，不只是微软，微处理器巨头美国英特尔等公司也在积极研究采用HMC。

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可能是所有干扰中有破坏性的，瞬变分为两个子类：脉冲型和振荡型。 脉冲型瞬变是电涌或尖峰的常见类型，涉及到升高或降低电压和/或电流等级的突发性事件，持续时间往往不超过50纳秒。 是由闪电、接地不良、电感负载开关、公用设施故障排除以及其它问题所引起，脉冲型瞬变往往会造成数据损坏和设备的物理伤害。

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