DDR4上电时序测试,时钟测试,数据信号测试,上海高速实验室测试

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发布时间
2023-12-20 08:14:10
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DDR4上电时序测试,时钟测试,数据信号测试,上海高速实验室测试


(2)地址线
A[14:0]:A0A14为15根地址线,根据MT41K256M16的框图,有15根行地址线A0A14和10根列地址线A0~A9,行地址线和列地址线进行复用,该DDR3L芯片中1个Bank的大小为215*2102=32MB2=64MB,总共有8个Bank,该DDR3L的RAM大小为64MB*8=512MB。
(3)Bank选择线
BA[2:0]:BA0~BA2为Bank的选择先,由2^3=8,可以总共有8个Bank。
(4)Bank区域
8个Bank区域,DDR3一般有8个Bank区域。
(5)数据线
DQ[15:0]:DQ0~DQ15为16根数据线,该DDR3L的宽度为16位。
(6)数据选通引脚
LDQS,LDQS#:LDQS和LDQS#是数据选通引脚,对应低字节DQ0~DQ7,读的时候是输出,写的时候为输入;
UDQS,UDQS#:UDQS和UDQS#是数据选通引脚,对应高字节DQ8~DQ15,读的时候是输出,写的时候为输入。


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