SiC芯片烧结银

如何降低纳米烧结银的烧结温度、减少烧结裂纹、降低烧结空洞率、提高烧结体的致密性和热导率成为目前研究的重要内容。

烧结银的烧结工艺流程就显得尤为重要了。善仁新材研究院根据SiC芯片烧结银客户的使用情况，总结出烧结银的工艺流程供大家参考：

一 AS9375无压烧结银工艺流程：

1 清洁粘结界面

2 界面表面能太低，建议增加界面表面能

3 粘结尺寸过大时，建议一个界面开导气槽

4 一个界面涂布烧结银时，涂布的要均匀

5 另外一个界面放烧结银上时，建议加一点压力到上界面压一下

6 烧结时需逐步阶梯升温到一定的温度，比如3分钟升高5度等

7 烧结结束时，建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。