回收手机字库，高价回收UFS闪存芯片

回收手机字库，大量回收三星 海力士UFS闪存芯片。

三星UFS目前公开的型号主要包括以下系列：

1.UFS 4.0系列

采用第7代V-NAND和专有控制器，顺序读取速度达4200MB/s，顺序写入速度2800MB/s，支持更先进的重放保护内存块（RPMB），最大容量1TB，封装尺寸仅11mm×13mm×1mm18。

2.UFS 3.1系列

作为前代主流产品，顺序读取速度约为2.9GB/s，顺序写入速度约1.25GB/s，采用双通道全双工通信协议，兼容性广泛。

3.UFS 2.1系列

早期旗舰机型常用型号，顺序读取速度1.25GB/s，支持6Gbps带宽，多用于中高端设备，如部分Galaxy系列机型。

4.未来UFS 5.0系列（计划中）

预计2027年推出，顺序读取速度将突破10GB/s，通道数从2路增至4路，目标直指端侧AI大模型应用需求56。

注：具体型号命名规则中，数字后缀代表UFS标准版本（如UFS 4.0），而不同容量和封装形式会通过额外标识区分（如1TB/11mm×13mm等）

海力士（SK hynix）目前公开的UFS型号主要包括以下系列：

1.

UFS 4.0系列HN8T274EJKX130R：512GB容量，基于UFS 4.0规范，适用于移动设备1。

2.

UFS 4.1系列（研发/展示阶段）512GB和1TB容量：基于321层堆叠的V9 1Tb TLC NAND闪存，尚未正式发布规范，但已在FMS 2024峰会上展示，预计将提升传输速率

3.

ZUFS（分区UFS）系列

ZUFS 4.0：基于V7 512Gb TLC NAND，提供512GB和1TB容量，支持数据分区管理以提升效率，预计2024年第三季度量产此外，海力士还展示了下一代NAND颗粒（如V9 2Tb QLC和V9H 1Tb TLC），但尚未明确对应的具体UFS型号