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- 2026-01-16 08:00:00
2025第三代功率半导体器件及应用技术展览会
时间：2025年11月21-24日
地点：广州广交會展馆D区
参展联络：徐妍（手机号看联系栏）
诚邀贵单位隆重参展——APSME 2025
聚焦前沿技术突破 赋能产业创新融合
※ 展会介绍
近年来，我国信息技术得到迅猛发展，半导体作为其中的关键器件起着重要的作用。政策方面国家出台了一系列相关政策旨在大力提升先进计算、新型智能终端、超高清视频、网络安全等数字优势产业竞争力，积极推进光电子、高端软件等核心基础产业创新突破，这大大提高了对半导体的需求，同时外部环境美国在芯片方面的制裁促使国家对芯片半导体的重视。种种原因使得中国半导体市场规模增长迅速，2022年中国第三代半导体市场规模达到111.79亿元，同比增长39.2%，2018年到2022年复合增长率为43%，增长速度惊人。其中2022年氮化镓(GaN)半导体市场规模达到62.58亿元，碳化硅(SiC)半导体市场规模达到43.45亿元，其他化合物半导体为5.76亿元。
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。伴随半导体产业逐渐复苏，以及电动汽车、新能源等应用市场的蓬勃发展，国内第三代半导体技术和产业取得显著进步。在此背景下，由深圳新芯能展览有限公司联合粤港澳大湾区半导体产业联盟共同主办的APSME 2025第三代半导体器件及应用技术展览会，将于2025年11月21-24日在广州广交會展馆D区举办，重点展示功率半导体(IGBT和MOSFET)SiC功率器件、GaN功率器件、GaN功率芯片、二极管、三极管滤波元件等，同时组委会邀请全球的新能源汽车、光伏、风能、储能、5G通信、卫星通信、光通信、电力电子、智能电网等预计上万名專业观众欢聚一堂，参加展会。
※ 展品范围
● 硅基功率器件(MOSFET/IGBT)等；
● 第三代半导体SiC/GaN器件；
● 外延片、衬底材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)等；
● GaN功率芯片、二极管、三极管滤波元件等；
● 设计开发
● 生产设备
● 封装测试
● 散热管理
● 可靠性测试及认证
● 信息服务
※ 同期展览
亚洲国际功率半导体、材料及装备技术展览会
汇聚全球优质品牌厂商齐聚现场，打造功率半导体全产业链创新展示与技术交流平台
行业盛会APSME 2025亚洲国际功率半导体、材料及装备技术展览会将于2025年11月20-22日在广州保利世贸博览馆举办；展会汇聚全球优质品牌厂商齐聚现场，打造功率半导体全产业链创新展示、一站式采购及技术交流平台，集中展示半导体器件、功率模块、材料、封装技术、测试技术、生产设备、散热管理等热门产品，致力于先进半导体器件、封装测试、工艺流程、创新应用及产业链间的合作，为上游及材料设备搭建交流协作的桥梁。展会期间还将举办一系列技术论坛，展示全球产业动态及未来技术趋势。
※ 同期论坛
展会同期举办各种主题的技术论坛，以配合各个展区展示产品。组委会将严格筛选演讲嘉宾和演讲主题，以技术为主，配合适量的品牌宣传，以确保技术论坛介绍世界范围内先进的、前沿的功率半导体技术，为广大半导体行业人士奉送一场“美味佳肴”。
◆ 车规级功率半导体论坛
◆ 功率半导体IGBT/SiC产业论坛
◆ 化合物半导体技术与应用发展论坛
◆ GaN氮化镓|半导体功率器件技术论坛
◆ 功率mosfet-Si硅/SiC碳化硅|半导体功率器件技术论坛
◆ 碳化硅衬底材料生长与加工技术创新发展论坛
◆ 第三代半导体材料制造与装备技术高峰论坛
◆ 功率半导体器件性能开发与测试技术论坛
欢迎业界同仁踊跃报名参展，现正接受申请，请速与我们联系，索取参展合同及展位平面图！充分利用APSME 2025，巩固您的市场地位！
在科技飞速发展的，半导体技术成为了现代电子设备的核心。作为行业的重要盛会，APSME 2025第三代半导体器件及应用技术展览会将在各大半导体企业中引发广泛关注。本次展会的重点展示内容涵盖功率半导体器件，包括IGBT和MOSFET、SiC功率器件、GaN功率器件和核心元件如功率芯片、二极管、三极管、滤波元件等，展现技术的创新及其在新时代应用中的广阔前景。
IGBT与MOSFET的应用场景
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是功率半导体中受欢迎的两种器件。IGBT具有高压、高效率的优势，主要应用于大功率电源和电动车辆中；而MOSFET则以其开关速度快、驱动简单而广泛应用于较低功率领域，如家电控制和小型电动工具。
在展会上，FCE展览将集中展示这两种器件的新技术与产品，助力各个行业实现更高效率与节能目标。