成都电子元器件失效分析机构-优尔鸿信

成都检测实验室具备全流程、多手段的失效分析能力：覆盖从被动元器件（电阻、电容）到主动元器件（IC芯片）的各类电子元件，通过标准化五步流程（信息收集→方案设计→试验实施→分析验证→报告总结），结合11种核心设备（如X-ray、SEM、超声波扫描仪、FIB等）和10种手法（外观检查、切片研磨、OBIRCH热点定位等），实现从无损检测到破坏性分析的诊断。

电子元器件失效定义：

由于内部或外部环境因素，产品的电学特性（如导电性）或物理、化学性能（如结构完整性）降低到不能满足规定要求的状态。

电子元器件失效的影响因素（四大类）：

1.材料、设计、工艺：

内部因素：原材料质量问题（如杂质）、设计缺陷（如布线错误）、工艺瑕疵（如焊接不牢）。

2.环境应力：

外部因素：包括多种应力类型：

过电（电气过载，如电压过高）。

温度（热应力，如高温老化）。

湿度（湿气侵蚀，如腐蚀）。

机械应力（物理冲击，如振动或跌落）。

静电（ESD或EOS破坏）。

重复应力（疲劳损伤，如反复开关）。

3.时间：

长期使用导致的老化或性能衰减（如材料退化）。

4.其他隐含因素：

供应链风险（如案例V中现货商供应问题）。

操作不当（如工厂防静电不足）。

整体意义：失效是多重因素交织的结果，需从源头（制造商工艺）和环境控制入手预防。

失效分析流程

信息和数据收集：填写失效分析申请表，内容包括客户信息、样品信息、失效现象等，样品数量、不良比率等关键信息需准确填写。

试验方案设计：根据需求选择检测项目，如外观检测、电性量测、X - ray 等。

试验实施：按方案进行外观拍照、无损检测、破坏性测试等操作。

结果分析和验证：分析各项检测结果的准确性及前后关联性，进行失效验证，如 ESD/EOS 模拟、可靠性验证。

结果总结和报告整理：整理报告，包含委托方信息、样品描述、检测结果等。

电子元器件失效分析常用手法及设备