高真空磁控溅射镀膜设备（圆形平面靶，柜式一体机）

高真空磁控溅射镀膜设备主要是用圆形磁控溅射靶进行溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。
也可用于TGV/TSV/TMV 先进封装的研发，高深径比（≥10:1）的深孔金属种子层镀膜。

主要特点
基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。
磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精准调控。
工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。
样品台可增加偏压装置，可用于深孔镀膜，可调控镀膜质量。

技术参数

产品型号	HITSemi-PVD-460SC
基片尺寸	4"~8"
磁控靶尺寸	2"~6"
磁控靶数量	1个～3个，圆形平面靶
腔体材质	304/316（选配）不锈钢，电解抛光
真空系统	分子泵+机械泵（可选配，干泵）
极限真空	5X10-5Pa
恢复工作背景真空	大气至7×10-4Pa，30分钟左右（新设备充干燥氮气）
设备总体漏放率	关机12小时真空度≤8Pa
溅射方向	由下向上/由上向下（由用户指定）
溅射方式	单靶溅射、多靶轮流溅射、多靶共溅射
工艺电源	射频电源、中频电源、HIPIMS高能脉冲电源、直流脉冲电源、直流溅射电源
基片台	基片台可加热600℃、可旋转2~30转/分钟、可升降、可水冷（选配）
膜厚均匀性	优于±3%
控制形式	半自动/全自动
工艺气体	3路（N2、Ar、O2）
基片台偏压	可选配
等离子清洗源	可选配
膜厚监控	可选配
恒温制冷水箱	可选配
空气压缩机	可选配

设备工作条件