用于GaN HEMT动态电阻测试
用于GaN HEMT动态电阻测试GaN 器件有关断高压偏置下陷阱电荷导致的电流崩塌（Current Collapse），使动态 Rds(on) 高于静态值。难点是 Vds(off) 可能达 400～800V，而 Vds(on) 仅 0.x～几伏——普通示波器动态范围不够。
