半导体元器件扩散炉
扩散炉
扩散炉主要是完成半导体元器件的扩散，可作元器件的烧结、退火、等工艺，具有应用范围广、安全可靠、控制精度高等特点。
2.设备名称 双管扩撒炉
3.型号 L4611II-Z/RZQ
4.规格 石英玻璃（单）管有效直径Φ150×2400mm，
管壁厚度5-6 mm。
5.主要配制：
5.1主机部分
5.2温度控制部分（PID）
5.3气路部分
5.4氧化室
5.5功率部分
5.6移动工作台
6.主要技术指标
6.1最高温度 1280℃
6.2使用温度 300℃～1200℃
6.3恒温区长度 大于等于600mm
6.4单点控温精度 ±0.5℃/24h
6.5升温功率 20kw
6.6保温功率 10kw
6.7氮气流量 大 0～20L/min（可调）
小（通过洗气瓶，容量500～1000ml） 0～1L/min