在超大规模集成电路工艺中，金属铝是芯片中金属互连线路的金属层的主要材料。然而，由于元件的微型化及集成度的增加，电路中金属层数目不断增多，金属互连线路架构中的电阻(R) 及电容(C) 所产生的寄生效应造成了严重的传输延迟，在130纳米及更先进的技术中成为电路中讯号传输速度受限的主要因素。
因此，在降低金属层电阻方面，由于金属铜及金属银具有高熔点、低电阻系数及高抗电子迁移的能力，已被广泛地应用于金属互连线路架构中来取代金属铝作为金属互连线路的金属层的材料。本领域技术人员熟知的，铜的金属化制成可使用溅镀法( 物理气相沉积) 和电化学电镀法(Electrical Chemical Plating)。由于成本低廉、沉积速率快，电化学电镀法已经是一种最常用的技术。
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