单晶硅，多晶硅靶

单晶硅，多晶硅

元素符号：Si

原子量：28.0855

熔点：1410℃

沸点：2355℃

密度：2.34g/cm3

折射率：3.42

电阻率/μΩ.cm：500

线膨胀系数/℃-1：3.0×10-6

蒸发温度：饱和蒸汽压1.33Pa时1350℃

蒸发源材料：Be、ZrO2、ThO2、C(坩埚)

主要用途：主要用于制造整流器、二极管、晶体管、光电池、太阳能电池、原子能电池、红外线探测器、以及电子致冷等半导体器件。