MDT10F676,(完全兼容PIC16F676,FLASH,内置EEPROM,多次擦写，内置振荡,10-bit A/D,PWM,CCP)
特性:ROM:1K,脚位:14,PINI/O:12PIN,复位时间极快.2V,低电压工作.低功耗,温度范围宽。
MDT10F676.pdf完全兼容PIC16F676,基于FLASH的14引脚8位CMOS单片机：
开发工具支持:
集成开发环境：MPLAB IDE
在线调试器：MPLAB ICD2+AC162052
在线仿真器：MPLAB ICE2000+PCM16YD0+DVA16XP141
编程器：MPLAB PM3，PICSTART
高性能RISC CPU:
o 只需学习35 条指令
- 除程序分支指令外，其余所有指令均为单周期指令。
o 工作速度：
- DC-20 MHz 振荡器/ 时钟输入
- DC-200 ns 指令周期
o 中断能力
o 8级深硬件堆栈
o 直接寻址，间接寻址，相对寻址等寻址模式
单片机性能特性：
o 可选择内部和外部振荡器
- 内部高精度4 MHz振荡器，出厂时精度校准为±1%
- 可使用晶振和谐振器作为外部振荡器
- 电压典型值为 3.0V时， 从休眠模式唤醒只需5 μs
o 省电休眠模式
o 宽工作电压范围：2.0V 至 5.5V
o 工业级和扩展级温度范围
o 低功耗的上电复位（POR）
o 上电定时器（PWRT）和振荡器起振定时器（OST）
o 欠压检测（BOD）
o 带有独立振荡器的看门狗定时器（WDT）以保证可靠运行
o 复用MCLR/ 输入引脚
o 引脚电平变化可触发中断
o 独立的可编程弱上拉功能
o 可编程代码保护
o 高持久性的FLASH/EEPROM 单元
- FLASH可经受100,000 次写操作
- EEPROM 可经受1,000,000 次写操作
- FLASH/数据EEPROM的数据保存期超过40年