铟（In）Indium 核心技术：电解（辅助电解质）-高频（除砷）单晶 可提供技术对接
1， 物理性质：
银白色金属，质软，展性好，延性差，四方晶系
原子量：114.818
熔点：156.61 ℃
沸点：2080 ℃
密度：7.31 g/cm3 （20℃）（0-100℃）
导热率：82.06 w/m.k
莫比硬度：1.2 kg/mm2
价态：+1，+2，+3。
2，规格：
化学纯度：
高纯铟：In-05 纯度99.999%以上，银，铝，砷，镉，铜，铁，镁，镍，铅，锡，铊，锌杂质总含量小于10ppm；
超纯铟：In-06 纯度99.9999%以上，镉，铜，铁，镁，铅，，硫，硅，锡杂质总含量小于1ppm；
超高纯铟：In-07 纯度99.99999%以上，银，镉，铜，铁，镁，镍，铅，锌杂质总含量小于0.1ppm；
3，物理性状：棒，锭，片，粒，丸。
4，用途：
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，高纯合金，超低温冷却，晶体管基极以及锗，硅单晶的掺杂剂，铟封，ITO，核辐射安全监控，电接触元件，焊料等。
5，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装。