设备性能
该类机型采用半导体泵浦激光器，一体化程度更高、光束质量更好、运行成本更低、免维护时间更长；
关键部件均采用进口产品，整机结构简单、划片速度快、精度更高，能24小时长期连续工作。
应用领域
太阳能行业单晶硅、多晶硅、非晶硅带太阳能电池片（cell）和硅片（wafer）的划片（切割切片）；
电子行业单晶硅和多晶硅硅片（wafer）的分离切割。
主要技术参数
激光波长 1.064μm
划片精度 ≤±10μm
最大划片厚度 1.2mm
划片线宽 ≤30μm
激光重复频率 200Hz～50kHz
最大划片速度 200mm/s
激光最大功率 ≥20W
工作台幅面 350×350mm
使用电源 380V（220V）/ 50Hz/ 5kVA
冷却方式 恒温循环水冷
工作台 双气仓负压吸附，T型台双工位交替工作