BSM150GB120DN2

BSM150GB120DN2



技术参数：

• Ic(A),Tc=80℃ 150

• Vce(sat),Max(V) 3.7

• Ton(us) 0.4

• Toff(us) 0.8

• Rth(j-c),K/W 0.1

• Pc(W) 1250

• 封装 62mm

• 电路结构 半桥



性能概要：

• 半桥

• 包括快速续流二极管

• 用绝缘金属基板包装