原装FF300R12KT3 1200V IGBT模块

原装FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT3 1200V IGBT模块最新到货    
型号:FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT3
厂家:EUPEC/英飞凌
电压:1200V
饱和压降:1.7V
封装:62 mm
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EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3均属于EUPEC第三代IGBT有两种系列。后缀为“KE3”的址是低频系列，其最佳开关频率为lK一8KHz。1200V IGBT饱干和压降VcEisal=1．7V，最适合变频器应用。在变频器应用中，中国已完成用“KE3”系列代替“DLC”系列的工作。在“KE3”的基础上，采用浅沟槽和优化“FS”层离子注入浓度、厚度以及集电区掺朵浓度等，又开发出高频系州，以后缀“KT3”为标志。EUPEC“KT3”系弄在饱和压降不增加的情况下开关频率提高到15KHz，最适合于8KHz一15KHz的应川场合。EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3在开关频率FK≥8KHz应用中,“KT3”比“KE3”开关损耗降低20％左右。Infineon／EUPEC 600V系列IGBT3后珊为“KE3”，是高频IGBT模块，开关频率可达到20KHz，饱和压降为1.50V，最高工作结温可高达175℃。

   Infineon／EUPEC第三代IGBT，采用了沟槽栅及电场终止层(FS)两种新技术，EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3带来了IGBT芯片厚度大大减薄。传统1200V NPT—IGBT芯片厚度约为200gm，IGBT3后缀为“KE3”的，厚度为140~tm左右；后缀为“KT3”芯片厚度进一步减薄到120um左右；600V IGBT3其芯片厚度仅为70~tm左右，这样薄的晶片，加工工艺难度较大。lnfineon在超薄晶片加工技术方面在全球处于领先地位。    Infineon／EUPEC IGBT3采用了当今IGBT的最新技术(沟槽栅+电场终止层)，EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3是目前最优异的IGBT产品，有些电力半导体厂家称这些技术为第五代，甚至称之为第八代IGBT技术。Infineon／EUPEC称之为第三代，正如在其型号中的电流标称一样，模块总足按Tc=80℃来标称，让产品来说话，让用户来评判。