FZ1800R12KF3英飞凌

英飞凌FZ1800R12KF3

  英飞凌FZ1800R12KF3 IGBT模块和FZ1800R12HP4模块其标准化封装，高功率密度非常适用于紧凑型逆变器的设计中，经过近二十年的发展， FZ1800R12KF3/FZ1800R12HP4两种模块已经在风力发电、太阳能光伏、电力传输、无轨电车、动车组、船舶推进去、医疗设备以及多电平逆变器等多个电子设备中得到运用。 

   

 英飞凌FZ1800R12KF3 IGBT模块和FZ1800R12HP4模块产品基本参数：IGBT模块 1200V/1800A/1U IHM190mm 封装 

产品种类：	IGBT 模块
品牌和型号	英飞凌FZ1800R12KF3 英飞凌FZ1800R12HP4
产品：	IGBT Silicon Modules
配置：	Triple Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO：	1200 V
集电极—射极饱和电压：	2.7 V
在25 C的连续集电极电流：	1800 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	5 kW
最大工作温度：	+ 125 C
封装 / 箱体：	IHM190
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压：	+/- 20 V
最小工作温度：	- 40 C
安装风格：	SMD/SMT

  

  英飞凌FZ1800R12KF3和FZ1800R12HP4作用于逆变器

 

  一般逆变器的结构中包括包括底板、IGBT功率模块、电解电容、PCB板、负铜板、绝缘膜、正铜板。功率模块安装在底板上，电解电容焊接在两块PCB板上，两块PCB板放置在功率模块的上下两侧，负铜板固定连接IGBT功率模块的负极和PCB板的负极，正铜板固定连接功率模块的正极和PCB板的正极，绝缘膜用于负铜板和正铜板之间的绝缘。