FF300R17KE3 infineon 三菱IGBT 英飞凌IGBT模块 semikron fuji sanrex infineon ixys www.henlito.com 深圳市亨力拓电子有限公司
FF300R17KE3基本参数:优派克IGBT3模块N-CH，1.7KV/404A，62mm封装。
FF300R17KE3产品性能和作用
英飞凌FF300R17KE3运用优派克1700V SPT-IGBT技术新的E2工业标准封装现在，因为额定电流为2400A的新一代大功率工业标准模块的封装尺寸增加了140×130(E1)140×190(E2)1700V-SPT IGBT的封装类型得到了扩展，新型号1700V-SPT IGBT 的 E2 标准封装。英飞凌FF300R17KE3基于高可靠性应用的经验，设计出了适用于工业牵引应用的新的封装类型。其主要运用在电机调速，变频器，大功逆变电源。
英飞凌FF300R17KE3产品参数
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产品：
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IGBT Silicon Modules
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配置：
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Dual
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品牌和型号
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英飞凌FF300R17KE3
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集电极—发射极最大电压 VCEO：
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1700 V
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集电极—射极饱和电压：
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2.45 V
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在25 C的连续集电极电流：
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404 A
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栅极—射极漏泄电流：
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400 nA
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功率耗散：
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1450 W
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最大工作温度：
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+ 125 C
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封装 / 箱体：
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62 mm
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商标：
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Infineon Technologies
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栅极/发射极最大电压：
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+/- 20 V
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最小工作温度：
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- 40 C
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安装风格：
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Screw
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产品价格和资料
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联系我们咨询和索取
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深圳德意志工业存货
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60个以上
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工厂包装数量：
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10
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英飞凌FF300R17KE3等效电路图
英飞凌FF300R17KE3 外形封装尺寸和结构图 .mm
英飞凌FF300R17KE3 结构优势
英飞凌FF300R17KE3与已经应用的1700V 标准模块相比，主要损耗减少了大约 20%。除了极低的静态和动态损耗外，1700V-SPT IGBT 表现为明显的正温度系数。这一特点适用于并联工作状态，尤其适合如 E1/E2 类型这样的大电流模块。尽管 SPT IGBT 的损耗较低，但它的短路电流和开关强度均较大，而且，独特的软穿通结构的电磁干扰很小。SPT 技术发展的同时，新的软快速恢复二极管也被开发用于辅助 SPT 的特性。新的二极管在任意条件工作时，表现出软恢复和极耐用的的特性。因为并联使用，二极管也要求正的温度系数。1700V 的芯片组技术，文献[1,2]中证明，标准的平面工艺与软穿通概念的结合可得到性能更好的 IGBT，它比 NPT 结构的损耗更低，约小 20%。SPT 技术的通态损耗与使用沟道工艺的相同额定电流元件的通态损耗相似。因为工艺技术很成熟，为使单位面积上的成本更低，选用了平面设计。