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- 2017-03-03 11:33:02
2016年11月17日,高通在美国纽约骁龙技术峰会发布了快充QC4.0。高通最新的QC4.0快充技术,能够给用户带来让人满意的快速充电体验。高通用“5 FOR 5”来形容QC4.0,这项技术能在充电5分钟的的情况下,让用户使用5个小时(电池容量:2750mAh),它可以在15分钟内,将一个电池容量为2750mAh的设备充至50%的电量。QC4.0向下兼容以往的QC快充,支持USB Type-C、USB PD。
高通推出的QC4.0将充电最高功率调整到28W,方案设计为5V/4.7A~5.6A和9V/3A,舍弃了12V的设计,且步进电压调整为10mV。目前的QC3.0常见方案为输出5V2.5A、9V2A、12V1.5A,标称最大输出功率18W。如此一来,QC4.0将支持大电压与大电流两种方案,充电速度进一步提升的同时也将改善发热以及对电池的损耗。如此大的电流值,步进电压将调整为10mV,这相对于现在的200mV是一个非常大的进步。
QC4.0同时加入了“智能最佳电压技术”(INOV),能够使手机在充电过程中每一个电量阶段都能使用最佳电压进行充电,而不是以前的恒定电压,这不仅可以带来更高的充电效率,提高充电过程的安全系数,同样可以起到延长电池寿命的作用。而且步进电压在如此精细化后,对于充电过程中的能量损耗和发热控制会有更好的表现。
而且在对比QC3.0 200mV的步进电压调节档位,QC4.0将会进一步优化INOV算法,将调节精度做到了10mV,比上代提了近20倍精度,将对手机充电实现更为精确的电压及发热量控制,进而做到大电压、大电流的情况下,依旧安全快充的充电体验。
QC4.0的改进主要在以下几个方面:
1、支持USB Type-C、USB PD,具备更强的兼容性。
2、在节电器中增加了更先进的技术,延长电池使用寿命,提升充电的安全性。
3、通过INOV算法最大化提升充电效率,优化充电过程,减少发热。
4、使用第二个电源管理芯片以提供双重快充,结合智能热平衡设计,优化充电效率。
QC4.0使用了最新的电源管理芯片SMB1380和SMB1381,阻抗更低,峰值效率提升至96%,具有更高的充电效率,可在厚度不到0.8mm的电池内使用,为轻薄型快充设备提供了完美的支持。SMB1380和SMB1381将在2016年底前上市发售,QC4.0技术预计在2017年上半年投入使用,骁龙835正是支持QC4.0技术的SoC。
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