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- 2017-02-20 11:55:31
SST39VF010-70-4C-NHE
特点:•64K的128k x8 x8 /组织/ 256k x8 / 512k X8•单电压读和sst39lf512 / 010 / 020 / 040 / 010 /–2.7 - 3.6V为SST39VF512 020 / 040•卓越的可靠性–耐力写操作–3.0-3.6V:100000个周期(典型)–大于100年的数据保留•低功率消费(在14 MHz的典型值)–有功电流:5毫安(典型)–待机电流:1μ一(典型)•扇区擦除能力–均匀的4字节扇区•快速读取访问时间:–45 ns的sst39lf512 / 010 / 020 / 040 / 040–55 ns的sst39lf020–70和90 NS SST39VF512 / 010 / 020 / 040•锁存地址和数据•快速擦除和字节的程序:–扇区擦除时间:18毫秒(典型)–芯片擦除时间:70毫秒(典型)–字节编程时间:14μ的(典型的)–芯片改写时间:1秒(典型)为sst39lf / vf5122秒(典型)为sst39lf / vf0104秒(典型)为sst39lf / vf0208秒(典型)为sst39lf / vf040•自动写入时序–内部VPP代•结束写入检测–切换位–数据#投票•CMOS I/O兼容性•JEDEC标准–闪存EEPROM的引脚和指令集–•封装32引脚PLCC–32引脚TSOP(8×14mm)–48球TFBGA(6mm×8mm)–34球wfbga(4mm×6mm)为1M和2M•所有非铅(无铅)器件均符合RoHS标准