舜亦

制备方法:DSS

　　导电类型:P

　　掺杂剂B::

　　电阻率:0.5 -3.0Ω·厘米,

　　少数载流子寿命:≥2μs

　　氧含量:≤8.0 * 1017 / cm3

　　碳含量:≤1.0 * 1018 / cm3

　　硅片尺寸:156 * 156±0.5

　　垂直度:45°±10°

　　倒角：0.5-2mm

　　厚度：200±20μm

总厚度变化：≤30μm



线痕≤20μm

　　翘曲≤≤40μm

　　崩边：深度