DS1230Y-200+ DIP-28 计时时钟模块 SRAM 内存 静态随机存储器
数据列表：DS1230Y, AB;
标准包装：12
零件状态：停產
类别：集成电路（IC）
产品族：存储器
存储器类型：非易失
存储器格式：NVSRAM
技术：NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：256Kb （32K x 8）
写周期时间 - 字，页：200ns
访问时间：200ns
存储器接口：并联
电压 - 电源：4.5 V ~ 5.5 V
工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：通孔
封装/外壳：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：28-EDIP