低内阻HC021N10L贴片MOS管N沟道35A100V

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东莞市惠海半导体有限公司总部
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品牌
惠新晨电子
MOS
100V35A
封装
TO-252
35N10
场效应管
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发布时间
2022-01-14 11:03:46
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产品型号:HC021N10L参数:100V35A ,类型:N沟道场效应管,内阻22mR,超低结电容1880pF  封装:贴片(TO-252),低开启电压1.5V,低内阻,结电容小,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强

 

HC012N10L优势替代HY1310D,替代HY1210D,替代CJU30N10


















封装厂规模图:




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行业
场效应管/模块 深圳场效应管/模块
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