明佳达电子公司 现货出售 IRFL210TRPBF 和 PSMN7R5-30YLD 晶体管 百分百原装正品 质量保证 量大价优 欢迎广大新老顾客朋友来电咨询或订购
一、IRFL210TRPBF ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 960mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.5 欧姆 @ 580mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 140pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2W（Ta），3.1W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-223
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
二、PSMN7R5-30YLD ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.5 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 655pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 34W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳 SC-100，SOT-669
以上型号均为深圳市明佳达电子公司长期现货供应产品 网上标价持有不确定性 请联系本公司查询正确的价格 有意者欢迎来电和我们联系 我们将竭诚为您服务！！！