明佳达电子公司 现货出售 IRFL210TRPBF 和 PSMN7R5-30YLD 晶体管 百分百原装正品 质量保证 量大价优 欢迎广大新老顾客朋友来电咨询或订购
一、IRFL210TRPBF ：
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）960mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）1.5 欧姆 @ 580mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）8.2nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）140pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散（最大值）2W（Ta），3.1W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-223
封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
二、PSMN7R5-30YLD ：
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）51A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）7.5 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）11.3nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）655pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（最大值）34W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳SC-100，SOT-669
以上型号均为深圳市明佳达电子公司长期现货供应产品 网上标价持有不确定性 请联系本公司查询正确的价格 有意者欢迎来电和我们联系 我们将竭诚为您服务！！！
