- 发布
- 北京恒泰正宇科技有限公司
- 品牌
- 上海复华蓄电池
- 型号
- GFM-300
- 容量
- 2V300AH
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- 供应
- 500只
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- 3天内
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- 发布时间
- 2024-02-23 10:52:17
在输电环节的运用
(一)柔性交流输电技术(FACTS)交流输电或电网的运行性能。已应用的FACTS控制器有静止无功补偿器(SVC)、静止调相机(STATCON)、静止快速励磁器(PSS)、串联补偿器(SSSC)等。近年来,柔性交流输电技术已经在美国、日本、瑞典、巴西等国重要的超高压输电工程中得到应用。国内也对FACTS进行了深入的研究和开发。
(二)高压直流输电技术(HVDC)流站可以搬迁,可以使中型的直流输电工程在较短的输送距离也具有竞争力。此外,可关断器件组成的换流器,由于采用了可关断的电力电子器件,可避免换相失败,对受端系统的容量没有要求,故可用于向孤立小系统(海上石油平台、海岛)供电,今后还可用于城市配电系统,并用于接入。
为了达到上述要求,将普通用于双极型开关管驱动输出接入图2b的外设驱动电路,也可以满足MOS FET管的驱动要求。设计驱动双极型开关管的集成电路,常采用双端图腾柱式输出两路脉冲,即两路输出脉冲极性是相同的,以驱动推挽的两只NPN型三极管。为了让推挽两管轮流导通,两路驱动脉冲的时间次序不同。如果第一路输出正脉冲,经截止后,过一死区时间,第二路方开始输出。两路驱动级采用双极型三极管集射极开路输出,以便于取得不同的脉冲极性,用于驱动NPN型或PNP型开关管。
基于功率稳压逆变电源的设计与应用
图2b中接入了PNP型三极管Q和二极管D,其作用是分别使驱动电流和灌电流分路。
前级驱动IC内部缓冲器的发射极,在负载电阻R1上建立未倒相的正极性驱动脉冲使三极管Q截止。在驱动脉冲上升沿开始,正极性脉冲通过二极管D加到MOS FET开关管栅-源极,对栅源极电容CGS充电,当充电电压达到开关管栅极电压阈值时,其漏源极导通。正脉冲持续期过后,IC内部缓冲放大器发射极电平为零,输出端将有一定时间的死区。此时,Q的发射极带有CGS充电电压,因而Q导通,CGS通过Q的ec极放电,Q的集电极电流为灌电流通路。R2为开关管的栅极电阻,目的是避免开关管的栅极在Q、D转换过程中悬空,否则其近似无穷大的高输入阻抗极容易被*电平所击穿。采用此方式利用普通双端输出集成电路,驱动MOS FET开关管,可以达到比较理想的效果。为了降低导通/截止损耗,D应选用快速开关二极管.Q的集电极电流应根据开关管决定,若为了提高输出功率,每路输出采用多只MOS FET管并联应用,则应选择ICM足够大的灌流三极管和高速开关二极管。
近年来,直流输电技术又有新的发展,轻型直流输电采用IGBT等可关断电力电子器件组成换流器,应用脉宽调制技术进行无源逆变,解决了用直流输电向无交流电源的负荷点送电的问题。同时大幅度简化设备,降低造价。
(三)静止无功补偿器(SVC)SVC是用以晶闸管为基本元件的固态开关替代了电气开关,实现快速、频繁地以控制电抗器和电容器的方式改变输电系统的导纳。SVC可以有不同的回路结构,按控制的对象及控制的方式不同分别称之为晶闸管投切电容器(TSC)、晶闸管投切电抗器(TSR)或晶闸管控制电抗器(TCR)。